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삼성전자, 차세대 메모리 'zHBM' 컨셉 공개... HBM5 대비 성능 8배 향상 기대

[한줄 요약] 삼성전자가 HBM5 대비 약 8배의 성능을 구현할 수 있는 차세대 메모리 아키텍처 'zHBM' 컨셉을 최초로 공개했습니다.

2026년 8월 5일자 기사 내용에 따르면, 삼성전자는 미국 캘리포니아 산타클라로에서 개최된 'Future of Memory and Storage 2026' 컨퍼런스에서 차세대 메모리 기술인 zHBM의 컨셉 모델을 선보였습니다.

Futuristic Semiconductor Architecture
참고용 이미지입니다.

zHBM은 고도화된 인공지능(AI) 컴퓨팅을 위해 설계된 새로운 메모리 아키텍처입니다. 기존 방식처럼 HBM을 프로세서 옆에 배치하는 것이 아니라, AI 가속기 바로 위에 고대역폭 메모리(HBM)를 수직으로 쌓아 올리는 구조를 특징으로 합니다.

삼성전자의 발표에 따르면, 웨이퍼 본딩 기술을 활용한 zHBM은 다음과 같은 혁신적인 성능 향상을 제공합니다:

  • 성능 및 밀도: HBM5 대비 약 8배의 성능과 10배 이상의 메모리 밀도 구현
  • 효율성: 에너지 효율 3배 증대 및 열 저항 50% 이상 감소
  • 맞춤형 설계: 고객 맞춤형 IP를 메모리와 AI 가속기 사이 계층에 통합하여 용량 확장 및 성능 개선 가능

이 기술은 AI 프로세서와 메모리 사이의 데이터 이동 거리를 최소화함으로써, 대규모 AI 학습 및 추론에 필요한 초고속 데이터 처리를 가능하게 합니다. 삼성전자는 고객사와의 긴밀한 협력을 통해 AI 프로세서와 메모리의 통합을 최적화하고, AI 시스템 성능을 극대화하기 위한 연구를 지속할 계획입니다.